Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Substrato de SiC nível P de 2 polegadas para dispositivos de energia e dispositivos de microondas

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:Xiwen Bai (Ciel)
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Substrato de SiC nível P de 2 polegadas para dispositivos de energia e dispositivos de microondas

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Lugar de origem :Suzhou China
Termos do pagamento :T/T
Prazo de entrega :3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Number modelo :JDCD03-001-001
Crystal Form :4H-N/S
Nome do produto :especificação da carcaça do carboneto do diameterSilicon 2inch (sic)
Diâmetro :50.8mm±0.38mm
Orientação lisa secundária :Silicone de face para cima: 90°CW. de flat±5.0° principal
Comprimento liso preliminar :15.9mm±1.7mm 8,0 mm±1.7 milímetro
Comprimento liso secundário :Nenhum plano secundário
Misorientation ortogonal :±5.0°
Espessura a :260μm±25μm
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Nível P 4H-N/SI<0001>260um±25um Substrato SiC de 2 polegadas para dispositivos de energia e dispositivos de micro-ondas

JDCD03-001-001 Substrato SiC de 2 polegadas nível P 4H-N/SI<0001>260μm±25μm para dispositivos de energia e dispositivos de microondas

Visão geral

Características principais
Otimiza o desempenho desejado e o custo total de propriedade para os dispositivos eletrônicos de potência da próxima geração
Wafers de grande diâmetro para economias de escala aprimoradas na fabricação de semicondutores
Faixa de níveis de tolerância para atender às necessidades específicas de fabricação de dispositivos
Cristal de alta qualidade
Baixas densidades de defeitos

Especificação de substrato de carboneto de silício (SiC) de diâmetro de 2 polegadas
Nota Grau de Produção (Grau P)
Dímetro 50,8 mm ± 0,38 mm
Grossura 260μm±25μm
Orientação da bolacha No eixo: <0001>±0,5° para 4H-N/4H-SI, Fora do eixo: 4,0° em direção a <1120 > ±0,5° para 4H-N/4H-SI
Densidade do Microtubo ≤5cm-²
Resistividade 4H-N 0,015~0,028Ω·cm
4H-SI >1E5Ω·cm
Orientação Plana Primária {10-10}±5,0°
Comprimento Plano Primário 15,9 mm ± 1,7 mm
Comprimento Plano Primário 8,0 mm ± 1,7 mm
Orientação Plana Secundária Silício voltado para cima: 90°CW.do primeiro plano ± 5,0°
Exclusão de Borda 1mm
TTV/arco/urdidura ≤15μm/≤25μm/≤25μm
Rugosidade rosto de silicone CMP Ra≤0,5nm
Cara de carbono Polonês Ra≤1,0 nm
Rachaduras na borda por luz de alta intensidade Nenhum
Placas hexagonais por luz de alta intensidade Área cumulativa≤1%
Áreas Politípicas por Luz de Alta Intensidade Nenhum
Arranhões na superfície do silício por luz de alta intensidade 3 arranhões para 1 x comprimento cumulativo do diâmetro do wafer
Fichas de Borda Altas por Intensidade Luz Luz Nenhum
Contaminação de superfície de silício por alta intensidade Nenhum
Embalagem Cassete Multi-wafer ou Recipiente Único de Wafer

Observação: a exclusão de borda de 3 mm é usada para os itens marcados coma.

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
P: você fornece amostras?é gratuito ou extra?
Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

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