Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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10x10mm2 100(off 6°) Substrato monocristal Ga2O3 dopado com Fe Grau de produto polimento único Espessura 0,6~0,8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Dispositivos optoeletrônicos, camadas isolantes de materiais semicondutores e filtros UV
A densidade de potência é bastante aprimorada em dispositivos de nitreto de gálio em comparação com os de silício porque o GaN tem a capacidade de sustentar frequências de comutação muito mais altas.Ele também tem uma maior capacidade de suportar temperaturas elevadas.
O nitreto de gálio é um semicondutor de band gap direto (band gap = 3,4 eV) com estrutura do tipo wurtzita e é o material usado para fabricar dispositivos emissores de luz que podem suportar ambientes corrosivos.O nitreto de gálio é preparado pela reação de Ga2O3 com NH3 em temperaturas elevadas da ordem de 1000°C.
| Substrato de nitreto de gálio -- Nível de pesquisa | |
| Dimensões | 10*10mm |
| Grossura | 0,6~0,8mm |
| Orientação | (100) fora de 6° |
| Doping | Fé |
| superfície polida | Único lado polido |
| Resistividade/Nd-Na | / |
| FWHM | <350 segundos de arco |
| Rá | ≤5 nm |
| Pacote | Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, sob uma atmosfera de nitrogênio |
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
Perguntas frequentes
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
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