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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Wafer epitaxial de cristal único Ra 0,3nm Ga2O3 2 polegadas 4 polegadas
Wafer epitaxial de cristal único Ra 0,3nm Ga2O3 2 polegadas 4 polegadas
  • Wafer epitaxial de cristal único Ra 0,3nm Ga2O3 2 polegadas 4 polegadas
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Ra≤0,3nm Espessura do substrato de cristal único Orientação de 0,6 a 0,8 mm (-201) 10x10mm2(-201) Ga independente dopado com Fe2O3substrato de cristal ...
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Zro2 si3n4 de cerâmica completa zro2 si3n4 cerâmica completa Wafer de fosfeto de índio

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