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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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GaN Epitaxial Wafer

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Bolacha sic Epitaxial

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GaAs Epi Wafer

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Substratos de Diamante CVD

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Sistema de recozimento térmico rápido

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Testador de Sensor de Efeito Hall

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Bolacha do nitreto de alumínio

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Microplaqueta do diodo láser

 [10]

Cristal do carboneto de silicone

 [12]

Bolacha Ga2O3

 [13]

bolacha de silicone

 [26]

Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelada

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Suporte da bolacha do

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Máquina de cortar bolacha

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:Xiwen Bai (Ciel)
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Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED
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OS produtos detalhados
Descrição: As wafers epiaxiais se referem a produtos formados pelo crescimento de uma nova camada de cristal único em um único substrato de cristal.As ...
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Criptomoedas SMD Lâmpada LED de chip SMD Conversão de maglite 4d led

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