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Categoria :Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto :Obsoletos
Voltagem nominal :4 V
Pacote :Em granel
Série :-
Figura de ruído :0.3dB
Pacote de dispositivos do fornecedor :S02
Tensão - teste :2 V
Mfr :CEL
Frequência :12GHz
Ganho :12.5 dB
Embalagem / Caixa :4-SMD, de condução plana
Atual - teste :10 mA
Potência - saída :14dBm
Tecnologia :GaAs HJ-FET
Câmbio de corrente nominal (Amp) :88mA
Número do produto de base :NE3515
Descrição :FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
Resíduos :Em existência
Método de transporte :LCL, AIR, FCL, Express
Condições de pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
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