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IRF6727MTRPBF

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Cidade:hong kong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrGeorge
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IRF6727MTRPBF

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Categoria de produtos :MOSFET
Vgs (máximo) :± 20V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C :32A (Ta), 180A (Tc)
Tipo de FET :N-canal
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :74nC @ 4,5V
Fabricante :Tecnologias Infineon
Quantidade mínima :4800
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) :4.5V, 10V
Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 150°C (TJ)
Característica do FET :-
Série :HEXFET®
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds :6190pF @ 15V
Pacote de dispositivos do fornecedor :MX DE DIRECTFET™
Estatuto da parte :Atividade
embalagem :Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :1.7 mOhm @ 32A, 10V
Dissipação de poder (máxima) :2.8W (Ta), 89W (Tc)
Embalagem / Caixa :MX isométrico de DirectFET™
Tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id :2.35V @ 100µA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) :30 V
Descrição :MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
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