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IPP057N06N3GXKSA1

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :4V @ 58µA

Operating Temperature :-55°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case :TO-220-3

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :82 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :5.7mOhm @ 80A, 10V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :10V

Package :Tube

Drain to Source Voltage (Vdss) :60 V

Vgs (Max) :±20V

Product Status :Not For New Designs

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :6600 pF @ 30 V

Mounting Type :Through Hole

Series :OptiMOS™

Supplier Device Package :PG-TO220-3

Mfr :Infineon Technologies

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :80A (Tc)

Power Dissipation (Max) :115W (Tc)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :IPP057

Description :MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

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