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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :2.35V @ 10µA

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :5.4 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :24mOhm @ 5.8A, 10V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Package :Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss) :25 V

Vgs (Max) :±20V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :430 pF @ 10 V

Mounting Type :Surface Mount

Series :HEXFET®

Supplier Device Package :SOT-23

Mfr :Infineon Technologies

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :5.8A (Ta)

Power Dissipation (Max) :1.25W (Ta)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :IRFML8244

Description :MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23

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LM193DRG4

EPF6024ABI256-2N

EPF6024ABI256-3N

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Conversores da C.C. da C.A., interruptores autônomos

Objetivo especial audio

DSP (processadores de sinal de Digitas)

FPGAs (disposição de porta programável do campo)

CI especializados

Grade magnética

LM193DRG4

EPF6024ABI256-2N

EPF6024ABI256-3N