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País / Região:china

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Product Category :IGBT Transistors

Mounting Style :Through Hole

Continuous Collector Current at 25 C :85 A

Pd - Power Dissipation :320 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max :1.2 kV

Package / Case :TO-247-3

Maximum Gate Emitter Voltage :+/- 30 V

Packaging :Tube

Configuration :Single

Collector-Emitter Saturation Voltage :2 V

Manufacturer :Infineon Technologies

Description :IGBT Transistors 1200V Trench IGBT Generic Ind App

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