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País / Região:china

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Gate-Emitter Leakage Current :+/- 100 nA

Product Category :IGBT Transistors

Mounting Style :SMD/SMT

Continuous Collector Current at 25 C :32 A

Pd - Power Dissipation :140 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max :600 V

Package / Case :TO-263-3

Maximum Operating Temperature :+ 175 C

Maximum Gate Emitter Voltage :+/- 30 V

Packaging :Tube

Configuration :Single

Collector-Emitter Saturation Voltage :1.55 V

Manufacturer :IR / Infineon

Description :IGBT Transistors 600V TRENCH ULTRAFAST IGBT

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