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País / Região:china

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Transistor Polarity :N-Channel

Technology :GaN SiC

Product Category :RF JFET Transistors

Mounting Style :SMD/SMT

Gain :19.2 dB

Transistor Type :HEMT

Output Power :46.4 dBm

Package / Case :Die

Maximum Operating Temperature :+ 150 C

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :32 V

Packaging :Waffle

Maximum Drain Gate Voltage :100 V

Id - Continuous Drain Current :2.5 A

Pd - Power Dissipation :41 W

Manufacturer :Qorvo

Description :RF JFET Transistors DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm

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O TGF2955, de Qorvo, é RF JFET Transistors.what nós para oferecer ter o preço competitivo no mercado global, que estão nas peças originais e novas. Se você gostaria de conhecer mais sobre os produtos ou de aplicar um preço mais baixo, contacte-nos por favor com “o bate-papo em linha” ou envie-nos umas citações!

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