Eletrônica de Shenzhen Res limitada

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MOSFET NPN Microplaqueta SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G de IC do transistor

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Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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MOSFET NPN Microplaqueta SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G de IC do transistor

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Number modelo :LP2301BLT1G
Quantidade de ordem mínima :discutível
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :10000 PCes pelo mês
Prazo de entrega :dias 1-7Work
Detalhes de empacotamento :original
resistência da Dreno-fonte :0,1 Ω
polaridade :P
tensão do ponto inicial :0,4 V
Pacote :SOT-23-3
Pacote mínimo :3000
Padrão de RoHS :RoHS complacente
Padrão da ligação :Sem chumbo
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Transistor novo original PNP SOT-23 do MOSFET NPN (SOT-23-3) LP2301BLT1G

Produtos Descrição:

Diodos e retificadores de 1.MOS (transistor de efeito de campo) /LP2301BLT1G

material 2.the de exigências do withRoHS da conformidade do produto e halogênio livre

3.S- prefixo para exigências automotivos e outras da mudança do local e de controle do requiringunique das aplicações; AEC-Q101qualified e PPAP capazes

4.RDS (SOBRE), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150MΩ

5.RDS (SOBRE), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =110MΩ

gestão 6.Power no interruptor a pilhas DSC da carga de sistema do equipamento portátil do livro de nota

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta = 25ºC)

Parâmetro Símbolo Limites Unidade
Tensão da Dreno-fonte VDSS -20 V
Tensão da Porta-à-fonte – contínua VGS ±8 V
Drene atual (nota 1)
– Contínuo Ta = 25°C
– Pulsado

Identificação

IDM

-2

-10

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS

Parâmetro Símbolo Limites Unidade
Dissipação de poder máxima Paládio 0,7 W
Resistência térmica,
Junção-à-ambiental (nota 1)
RΘJA 175 C/W
Temperatura da junção e de armazenamento TJ, Tstg −55∼+150 C

Parâmetros tecnologicos:

resistência da Dreno-fonte 0,1 Ω
Polaridade P
Tensão do ponto inicial 0,4 V
tensão da Dreno-fonte (Vds) 20 V
Corrente contínua do dreno (Ids) 2.8A
Pacote SOT-23-3
Pacote mínimo 3000
Padrão de RoHS RoHS complacente
padrão da ligação Sem chumbo
número de pino 6

 

 

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