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Eletrônica de Shenzhen Res limitada

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Mosfet 20V 9A 8WDFN do poder do canal dos FETs único P da microplaqueta de IC do transistor de NTTFS3A08PZTAG

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China Mosfet 20V 9A 8WDFN do poder do canal dos FETs único P da microplaqueta de IC do transistor de NTTFS3A08PZTAG wholesale
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Mosfet 20V 9A 8WDFN do poder do canal dos FETs único P da microplaqueta de IC do transistor de NTTFS3A08PZTAG
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Number modelo :NTTFS3A08PZTAG
Lugar de origem :América
Quantidade de ordem mínima :discutível
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :mês 10000pcs/one
Prazo de entrega :3~10 dias
Detalhes de empacotamento :Pacote original
Tipo :Mosfet
D/C :Padrão
Tipo do pacote :WDFN-8
Aplicação :Padrão
Tipo do fornecedor :Fabricante original, ODM, agência, varejista, outro
Meios disponíveis :a folha de dados, foto, EDA/CAD modela, outro
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :20 V
Temperatura de funcionamento :-55 ℃ ℃~150
Montando o tipo :Montagem de superfície
Pacote/caso :WDFN-8, WDFN-8
Drene à tensão da fonte (Vdss) :20 V
Número de elementos :1
Número de pinos :8
Max Operating Temperature :°C 150
configuração do elemento :único
Min Operating Temperature :-55 °C
Tempo de elevação :56 ns
RDS em máximo :mΩ 6,7
Número de canais :1
RoHS :Complacente
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De NTTFS3A08PZTAG dos transistor dos FETs único P-CH 20V 9A 8WDFN P-canal dos MOSFETs

 

Descrição de produtos:

1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET do poder do P-canal

2. wdfn de superfície da montagem 840mW do P-canal 20V 9A (Ta) (Ta) 8 (3.3x3.3)

3. EP T/R do MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN do transporte

4. componentes -20V, - 15A, 6.7m, poder MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG do canal de P

 

 

Controle de qualidade:
1. Cada processo de produção tem uma pessoa especial a testar para assegurar a qualidade
2. Tenha os coordenadores profissionais para verificar a qualidade
3. Todos os produtos passaram o CE, o FCC, o ROHS e as outras certificações

 

 

Parâmetros tecnologicos:

Tipo do FET P-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 20 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 9A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 56 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo) ±8V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 5000 PF @ 10 V
Dissipação de poder (máxima) 840mW (Ta)
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Número baixo do produto NTTFS3

 

Imagem do produto:

Mosfet 20V 9A 8WDFN do poder do canal dos FETs único P da microplaqueta de IC do transistor de NTTFS3A08PZTAG

Controle de qualidade:

1. Cada processo de produção tem uma pessoa especial a testar para assegurar a qualidade

2. Tenha os coordenadores profissionais para verificar a qualidade

3. Todos os produtos passaram o CE, o FCC, o ROHS e as outras certificações

 

Etiquetas de Produtos:

n channel mosfet transistor

to220 mosfet

transistor mosfet n
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