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China Canal 20V 9A 8WDFN do Mosfet P do transistor de NTTFS3A08PZTAG wholesale

Canal 20V 9A 8WDFN do Mosfet P do transistor de NTTFS3A08PZTAG

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Number modelo :NTTFS3A08PZTAG

Lugar de origem :América

Detalhes de empacotamento :Pacote original

Quantidade de ordem mínima :discutível

Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidade da fonte :mês 10000pcs/one

Prazo de entrega :3~10 dias

Tipo :Mosfet

Tipo do pacote :WDFN-8

Tipo do fornecedor :Fabricante original, ODM, agência, varejista, outro

Meios disponíveis :a folha de dados, foto, EDA/CAD modela, outro

Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :20 V

Temperatura de funcionamento :-55 ℃ ℃~150

Montando o tipo :Montagem de superfície

Pacote/caso :WDFN-8, WDFN-8

Número de elementos :1

Número de pinos :8

Max Operating Temperature :°C 150

configuração do elemento :único

Min Operating Temperature :-55 °C

Tempo de elevação :56 ns

RDS em máximo :mΩ 6,7

RoHS :Complacente

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De NTTFS3A08PZTAG dos transistor dos FETs único P-CH 20V 9A 8WDFN P-canal dos MOSFETs

Descrição de produtos:

1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET do poder do P-canal

2. wdfn de superfície da montagem 840mW do P-canal 20V 9A (Ta) (Ta) 8 (3.3x3.3)

3. EP T/R do MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN do transporte

4. componentes -20V, - 15A, 6.7m, poder MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG do canal de P

Melhore sua eficiência:

Harmonização de uma parada dos conectores dos indutores do resistor do capacitor do transistor do diodo de IC do serviço de Kitting da lista dos componentes eletrônicos BOM

O Res tem uma equipe profissional combinar e citar rapidamente para você.
Exigência do tempo:
Tempo da cotação: < 1mins=""> < 3mins=""> Prazo de entrega: < 24="" hrs=""> < 48="" hrs=""> < 72="" hrs=""> Tempo do PWB: < 72="" hrs=""> < 7="" days=""> Tempo de PCBA: < 5="" days=""> * os dados acima são somente aplicáveis aos materiais normais no tempo inativo.

Parâmetros tecnologicos:

Tipo do FET	P-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)	20 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	9A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	56 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)	±8V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	5000 PF @ 10 V
Dissipação de poder (máxima)	840mW (Ta)
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor	8-WDFN (3.3x3.3)
Número baixo do produto	NTTFS3

Imagem do produto:

Controle de qualidade

o processo de produção 1.Every tem uma pessoa especial a testar para assegurar a qualidade

coordenadores 2.Have profissionais para verificar a qualidade

os produtos 3.All passaram o CE, o FCC, o ROHS e as outras certificações

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