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Local de origem :Guangdong, China
Tipo :IC de memória NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR
Descrição :LA4440
Voltagem - Avaria :,
Frequência - Troca :-
Potência (watts) :-
Temperatura de funcionamento :-
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Tensão - Fornecimento (Min) :-
Tensão - fonte (máxima) :-
Tensão - saída :-
Atual - saída/canal :-
Frequência :/
Aplicações :NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR IC de memória
Tipo de FET :/
Atual - saída (máxima) :-
Corrente - Fornecimento :-
Voltagem - Fornecimento :-
Frequência - Máximo :-
Potência - Máximo :-
Tolerância :-
Função :NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR IC de memória
Fornecimento de tensão - interna :-
Frequência - interrupção ou centro :-
Atual - escapamento (É (fora)) (Máximo) :-
Poder isolado :-
Tensão - isolamento :-
Corrente - Alta e baixa potência :-
Atual - saída máxima :/
Tensão - dianteira (Vf) (tipo) :/
Atual - C.C. dianteira (se) (máximo) :/
Relação de transferência atual (minuto) :/
Relação de transferência atual (máxima) :/
Voltagem - Saída (máximo) :/
Voltagem - Desligada :/
DV/dt estático (minuto) :/
Atual - disparador do diodo emissor de luz (Ift) (máximo) :/
Atual - no estado (ele (RMS)) (Máximo) :/
Impedância :/
Impedância - desequilibrada/equilibrada :/
Frequência de LO :/
Frequência de RF :/
Escala entrada :/
Potência de saída :/
A frequência une-se (baixo/elevação) :/
Especificações :/
Tamanho / Dimensão :/
Modulação ou protocolo :/
Interface :/
Potência - saída :/
Tamanho da Memória :4GB 8GB 16GB 32GB 64GB 128GB 256GB
Protocolo :/
Modulação :/
Relações de série :/
GPIO :/
Normas :/
Estilo :/
Tipo de memória :NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR
Memória que pode escrever-se :/
Resistência (Ohms) :/
Referências cruzadas :/
Detalhes da embalagem :Empacotamento antiestático
Porto :Shenzhen
Capacidade de abastecimento :10000 peças por semana
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