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Local de origem :Guangdong, China
Número do modelo :BLF188XR
Tipo :circuito integrado, movimentação IC
Descrição :Transistores
Tensão - divisão :135 V
Frequência - interruptor :108MHz
Poder (watts) :1400W
Temperatura de funcionamento :-
Tipo de montagem :LDMOS (dual), fonte comum
Tensão - Fornecimento (Min) :50 V
Tensão - fonte (máxima) :240,4 dB
Tensão - saída :Caixa
Atual - saída/canal :Atividade
Frequência :40 miliampères
Aplicações :LDMOS (dual), fonte comum
Tipo do FET :SOT-539A
Atual - saída (máxima) :SOT539A
Atual - fonte :BLF188
Voltagem - Fornecimento :-
Frequência - Máximo :-
Poder - máximo :-
Tolerância :-
Função :Transistor discretos dos produtos de semicondutor
Fornecimento de tensão - interna :FETs, MOSFETs - RF
Frequência - interrupção ou centro :-
Atual - escapamento (É (fora)) (Máximo) :-
Poder isolado :-
Tensão - isolamento :-
Atual - saída alta, baixo :-
Atual - saída máxima :-
Tensão - dianteira (Vf) (tipo) :-
Atual - C.C. dianteira (se) (máximo) :-
Tipo entrado :-
Tipo de saída :-
Relação de transferência atual (minuto) :-
Relação de transferência atual (máxima) :-
Voltagem - Saída (máximo) :-
Tensão - fora do estado :-
DV/dt estático (minuto) :-
Atual - disparador do diodo emissor de luz (Ift) (máximo) :-
Atual - no estado (ele (RMS)) (Máximo) :-
Impedância :-
Impedância - desequilibrada/equilibrada :-
Frequência de LO :-
Frequência do RF :-
Escala entrada :-
Potência de saída :-
A frequência une-se (baixo/elevação) :-
Especificações :-
Tamanho/dimensão :-
Modulação ou protocolo :-
interface :-
Saídas de potência :-
Tamanho de memória :-
Protocolo :-
Modulação :-
Relações de série :-
GPIO :-
IC utilizado/parte :-
Padrões :-
Estilo :-
Tipo da memória :-
Memória que pode escrever-se :-
Resistência (ohms) :-
Referência :-
Detalhes da embalagem :Embalagem padrão, embalagem antiestática
Porto :Shenzhen, China/Hong Kong
Capacidade de abastecimento :99999 partes/partes por Mês
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