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Tipo :Chips, Transistores de Efeito de Campo, Transistores IGBT
Temperatura de funcionamento :Padrão
Série :Padrão
Tipo de montagem :Padrão
Descrição :/
Número do modelo :mje13003
Local de origem :Guangdong, China
D/C :22+
Tipo de embalagem :Durante todo o furo
Aplicação :Padrão
Tipo de fornecedor :Outros
Referência :Padrão
Meios disponíveis :Outros
Marca :Transistor
Atual - coletor (CI) (máximo) :Padrão
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :Padrão
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI :Padrão
Atual - interrupção do coletor (máxima) :Padrão
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce :Padrão
Poder - máximo :Padrão
Frequência - transição :Padrão
Embalagem / Caixa :Padrão
Resistor - base (R1) :Padrão
Resistor - base do emissor (R2) :Padrão
Tipo do FET :Padrão
Característica do FET :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :Padrão
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C :Padrão
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :Padrão
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :Padrão
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :Padrão
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :Padrão
Frequência :Padrão
Avaliação atual (ampères) :Padrão
Figura de ruído :Padrão
Saídas de potência :Padrão
Tensão - avaliado :Padrão
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :Padrão
Vgs (máximo) :Padrão
Tipo de IGBT :/
Configuração :/
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :/
Capacidade entrada (Cies) @ Vce :/
Input :/
Termistor de NTC :/
Tensão - divisão (V (BR) GSS) :/
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) :/
Dreno atual (identificação) - máxima :/
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @ :/
Resistência - RDS (sobre) :/
Voltagem :/
Tensão - saída :/
Tensão - offset (Vt) :/
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao) :/
Atual - vale (iv) :/
Atual - pico :/
Aplicações :/
Tipo do transistor :Transistor de potência rf mrf150
Detalhes da embalagem :Empacotamento antiestático
Porto :Shenzhen
Capacidade de abastecimento :1000 partes/partes por Semana
Quantidade mínima de encomenda :10 peças
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