ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

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Fornecedor verificado
3 Anos
Casa / Produtos / ROHM UTC ICS /

Chip Ic do transistor de potência bipolar (BJT) 13003 NPN 400V 1.5A Mje13003

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MissAbby
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Chip Ic do transistor de potência bipolar (BJT) 13003 NPN 400V 1.5A Mje13003

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Tipo :Chips, Transistores de Efeito de Campo, Transistores IGBT
Temperatura de funcionamento :Padrão
Série :Padrão
Tipo de montagem :Padrão
Descrição :/
Número do modelo :mje13003
Local de origem :Guangdong, China
D/C :22+
Tipo de embalagem :Durante todo o furo
Aplicação :Padrão
Tipo de fornecedor :Outros
Referência :Padrão
Meios disponíveis :Outros
Marca :Transistor
Atual - coletor (CI) (máximo) :Padrão
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :Padrão
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI :Padrão
Atual - interrupção do coletor (máxima) :Padrão
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce :Padrão
Poder - máximo :Padrão
Frequência - transição :Padrão
Embalagem / Caixa :Padrão
Resistor - base (R1) :Padrão
Resistor - base do emissor (R2) :Padrão
Tipo do FET :Padrão
Característica do FET :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :Padrão
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C :Padrão
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :Padrão
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :Padrão
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :Padrão
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :Padrão
Frequência :Padrão
Avaliação atual (ampères) :Padrão
Figura de ruído :Padrão
Saídas de potência :Padrão
Tensão - avaliado :Padrão
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :Padrão
Vgs (máximo) :Padrão
Tipo de IGBT :/
Configuração :/
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :/
Capacidade entrada (Cies) @ Vce :/
Input :/
Termistor de NTC :/
Tensão - divisão (V (BR) GSS) :/
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) :/
Dreno atual (identificação) - máxima :/
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @ :/
Resistência - RDS (sobre) :/
Voltagem :/
Tensão - saída :/
Tensão - offset (Vt) :/
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao) :/
Atual - vale (iv) :/
Atual - pico :/
Aplicações :/
Tipo do transistor :Transistor de potência rf mrf150
Detalhes da embalagem :Empacotamento antiestático
Porto :Shenzhen
Capacidade de abastecimento :1000 partes/partes por Semana
Quantidade mínima de encomenda :10 peças
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Bem-vindo à nossa empresa! Somos a sua fonte completa de componentes eletrônicos. Nossa experiência consiste em fornecer uma grande variedade de componentes eletrônicos para atender às suas diversas necessidades.Nós oferecemos:- Semicondutores: microcontroladores, transistores, diodos, circuitos integrados (CI) - Componentes passivos: resistores, condensadores, inductores, conectores - Componentes eletromecânicos: interruptores,Relais, actuadores de sensores - Fornecedores de energia: reguladores de tensão, conversores de potência, gestão de baterias - Optoeletrónica: LEDs, lasers, fotodiodos, sensores ópticos - RF e componentes sem fios: módulos RF,Antenas, comunicações sem fios - Sensores: sensores de temperatura, sensores de movimento, sensores ambientais.
Chip Ic do transistor de potência bipolar (BJT) 13003 NPN 400V 1.5A Mje13003

Tipo: Circuitos integrados Componentes electrónicos
DC22+
MOQ: 1pc
Pacote: Padrão
A gama de chips funcionais é ampla e abrange muitas áreas de aplicação diferentes, como comunicações, processamento de imagem, controle de sensores, processamento de áudio, gerenciamento de energia e muito mais.
O tipo de chips que temos



Circuitos integrados Componentes electrónicos
ICs de comparação
Código-Decodificador
ICs de toque
IC de referência de tensão
Amplificador
Reinicie o IC do detector
IC do amplificador de potência
IC de processamento por infravermelho
Chip de interface
Chip Bluetooth
Boost e Buck Chips
Chips de base de tempo
Chips de comunicação do relógio
IC transmissor
IC RF sem fio
Resistência de chip
Chip de armazenamento 2
Chip Ethernet
Circuitos integrados Componentes electrónicos
Chip Ic do transistor de potência bipolar (BJT) 13003 NPN 400V 1.5A Mje13003
Chip Ic do transistor de potência bipolar (BJT) 13003 NPN 400V 1.5A Mje13003
Chip Ic do transistor de potência bipolar (BJT) 13003 NPN 400V 1.5A Mje13003
Chip Ic do transistor de potência bipolar (BJT) 13003 NPN 400V 1.5A Mje13003
Chip Ic do transistor de potência bipolar (BJT) 13003 NPN 400V 1.5A Mje13003
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