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Fabricante Part Number :KM3H6001CM-b515 ou outro chip
Tipo :IC de memória NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR
Local de origem :Guangdong, China
Descrição :chip sem fios NRF52832
Tensão - divisão :/
Frequência - interruptor :/
Poder (watts) :/
Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TJ)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Tensão - Fornecimento (Min) :1.7V
Tensão - fonte (máxima) :3.6V
Tensão - saída :/
Atual - saída/canal :5.5MA-10.4MA
Frequência :2.4GHz
Aplicações :IC de memória NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR
Tipo do FET :/
Atual - saída (máxima) :/
Atual - fonte :/
Voltagem - Fornecimento :1.7V-3.6V
Frequência - Máximo :2.4GHz
Poder - máximo :/
Tolerância :16GB
Função :IC de memória NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR
Fornecimento de tensão - interna :/
Frequência - interrupção ou centro :/
Atual - escapamento (É (fora)) (Máximo) :/
Poder isolado :/
Tensão - isolamento :/
Atual - saída alta, baixo :/
Atual - saída máxima :/
Tensão - dianteira (Vf) (tipo) :/
Atual - C.C. dianteira (se) (máximo) :/
Tipo entrado :/
Tipo de saída :/
Relação de transferência atual (minuto) :/
Relação de transferência atual (máxima) :/
Voltagem - Saída (máximo) :/
Tensão - fora do estado :/
DV/dt estático (minuto) :/
Atual - disparador do diodo emissor de luz (Ift) (máximo) :/
Atual - no estado (ele (RMS)) (Máximo) :/
Impedância :/
Impedância - desequilibrada/equilibrada :/
Frequência de LO :/
Frequência do RF :1GHz
Escala entrada :/
Potência de saída ://
A frequência une-se (baixo/elevação) :/
Especificações :/
Tamanho/dimensão :/
Modulação ou protocolo :/
interface :/
Saídas de potência ://
Tamanho de memória :8GB 16GB 32GB 64GB 128GB
Protocolo ://
Modulação :/
Relações de série :/
GPIO :/
IC utilizado/parte :C3H6C1C2C2C2
Padrões :/
Estilo :16GB
Tipo da memória :NAND FALSH eMMC eMCP 5.0 5.1
Memória que pode escrever-se :/
Resistência (ohms) :/
Referência :/
Detalhes da embalagem :Empacotamento antiestático
Porto :Shenzhen
Capacidade de abastecimento :10000 partes/partes por Semana
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