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Tipo :Outros, transistores IGBT
Temperatura de funcionamento :-55°C ~ 175°C (TJ)
Série :Padrão
Tipo de montagem :Através do Buraco
Descrição :/
Número do modelo :LM3886TF
Local de origem :Guangdong, China
D/C :/
Tipo de embalagem :/
Aplicação :/
Tipo de fornecedor :Outros
Referência :Padrão
Meios disponíveis :Outros
Marca :MOSFET N-CH 100V 33A a 247AC
Atual - coletor (CI) (máximo) :/
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :/
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI :/
Atual - interrupção do coletor (máxima) :/
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce :/
Poder - máximo :/
Frequência - transição :/
Embalagem / Caixa :TO-247-3
Resistor - base (R1) :/
Resistor - base do emissor (R2) :/
Tipo do FET :N-canal
Característica do FET :Outros
Drene à tensão da fonte (Vdss) :100 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C :33A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :52 mOhm @ 16A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 250UA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :94nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :1400 pF @ 25V
Frequência :/
Avaliação atual (ampères) :/
Figura de ruído :/
Saídas de potência :/
Tensão - avaliado :/
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10 V
Vgs (máximo) :±20V
Tipo de IGBT :/
Configuração :Outros
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :/
Capacidade entrada (Cies) @ Vce :/
Input :/
Termistor de NTC :/
Tensão - divisão (V (BR) GSS) :/
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) :/
Dreno atual (identificação) - máxima :/
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @ :/
Resistência - RDS (sobre) :/
Voltagem :/
Tensão - saída :/
Tensão - offset (Vt) :/
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao) :/
Atual - vale (iv) :/
Atual - pico :/
Aplicações :/
Tipo do transistor :Transistor de potência rf mrf150
Detalhes da embalagem :Empacotamento antiestático
Porto :Shenzhen
Capacidade de abastecimento :10000 partes/partes por Dia
Quantidade mínima de encomenda :10 peças
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