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Tipo :JFET, Transistor de Efeito de Campo, Transistor IGBT
Série :Padrão
Tipo de montagem :Padrão
Descrição :/
Número do modelo :FR157 M1
Local de origem :Guangdong, China
D/C :,
Tipo de embalagem :Durante todo o furo
Aplicação :Diodos rectificadores de recuperação rápida
Tipo de fornecedor :Outros
Referência :Padrão
Meios disponíveis :Outros
Marca :,
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :,
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI :,
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce :,
Resistor - base (R1) :,
Resistor - base do emissor (R2) :,
Característica do FET :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :,
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C :,
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :,
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :,
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :,
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :,
Frequência :,
Avaliação atual (ampères) :,
Figura de ruído :,
Saídas de potência :,
Tensão - avaliado :,
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :,
Vgs (máximo) :,
Tipo de IGBT :,
Configuração :Padrão
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :,
Capacidade entrada (Cies) @ Vce :,
Input :,
Termistor de NTC :,
Tensão - divisão (V (BR) GSS) :,
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) :,
Dreno atual (identificação) - máxima :,
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @ :,
Resistência - RDS (sobre) :,
Voltagem :,
Tensão - saída :,
Tensão - offset (Vt) :,
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao) :,
Atual - vale (iv) :,
Atual - pico :,
Aplicações :,
Tipo do transistor :Transistor de potência rf mrf150
Detalhes da embalagem :Empacotamento antiestático
Porto :Shenzhen
Capacidade de abastecimento :10000 partes/partes por Semana
Quantidade mínima de encomenda :10 peças
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