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Tipo :Transistores MOS, transistores IGBT
Temperatura de funcionamento :-55°C ~ 150°C (TJ)
Série :/
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Descrição :/
Número do modelo :TSM950N10CW
Local de origem :Guangdong, China
D/C :22+
Tipo de embalagem :SOT-223-3
Aplicação :Diodos - Rectificadores
Tipo de fornecedor :Outros
Referência :Padrão
Meios disponíveis :Outros
Marca :MOSFET SOT-223-3
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :,
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI :,
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce :,
Embalagem / Caixa :SOT-223
Resistor - base (R1) :,
Resistor - base do emissor (R2) :,
Característica do FET :/
Drene à tensão da fonte (Vdss) :,
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C :,
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :,
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :/
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :,
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :,
Frequência :,
Avaliação atual (ampères) :,
Figura de ruído :,
Saídas de potência :,
Tensão - avaliado :,
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Vgs (máximo) :±20V
Tipo de IGBT :,
Configuração :/
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :,
Capacidade entrada (Cies) @ Vce :,
Input :,
Termistor de NTC :,
Tensão - divisão (V (BR) GSS) :,
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) :,
Dreno atual (identificação) - máxima :,
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @ :,
Resistência - RDS (sobre) :,
Voltagem :,
Tensão - saída :,
Tensão - offset (Vt) :,
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao) :,
Atual - vale (iv) :,
Atual - pico :,
Aplicações :,
Tipo do transistor :Transistor de potência rf mrf150
Detalhes da embalagem :Novo e original, embalagem selada da fábrica, será bloco em um destes tipo de embalagem: Tubo, bande
Porto :Shenzhen
Capacidade de abastecimento :50000000 partes/partes por Dia
Quantidade mínima de encomenda :100 peças
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