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Tipo :Transistores RF, transistores IGBT
Temperatura de funcionamento :Padrão
Série :Padrão
Tipo de montagem :/, Montagem de superfície
Descrição :/
Número do modelo :Srf6s21100
Local de origem :Japão
D/C :Mais recentes
Tipo de embalagem :Montagem de superfície
Aplicação :De alta frequência
Tipo de fornecedor :Agência, retalhista
Referência :Padrão
Meios disponíveis :Folha de dados
Marca :Transistores de potência de RF
Atual - coletor (CI) (máximo) :Padrão
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :Padrão
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI :Padrão
Atual - interrupção do coletor (máxima) :Padrão
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce :Padrão
Poder - máximo :Padrão
Frequência - transição :Padrão
Embalagem / Caixa :Padrão
Resistor - base (R1) :Padrão
Resistor - base do emissor (R2) :Padrão
Tipo do FET :Padrão
Característica do FET :Diodo de Schottky (isolado)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :Padrão
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C :Padrão
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :Padrão
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :Padrão
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :Padrão
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :Padrão
Frequência :Padrão
Avaliação atual (ampères) :Padrão
Figura de ruído :Padrão
Saídas de potência :Padrão
Tensão - avaliado :Padrão
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :Padrão
Vgs (máximo) :Padrão
Tipo de IGBT :Padrão
Configuração :meia ponte
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce :Padrão
Input :Padrão
Termistor de NTC :Padrão
Tensão - divisão (V (BR) GSS) :Padrão
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) :Padrão
Dreno atual (identificação) - máxima :Padrão
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @ :Padrão
Resistência - RDS (sobre) :Padrão
Voltagem :Padrão
Tensão - saída :Padrão
Tensão - offset (Vt) :Padrão
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao) :Padrão
Atual - vale (iv) :Padrão
Atual - pico :Padrão
Aplicações :PCB
Tipo do transistor :Transistor de potência rf mrf150
condição :MRF6S21100 original e novo
Detalhes da embalagem :Transistor de potência de RF de microondas HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100
Porto :SZ
Capacidade de abastecimento :10000 partes/partes por Semana
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