STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

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Manufacturer from China
Fornecedor verificado
3 Anos
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SDRAM - memória IC MT46V16M16P-5B da RDA: Paralela de M 256Mbit 200 megahertz 700 microplaqueta eletrônica do picosegundo 66-TSOP IC

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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
Cidade:hong kong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrTom Guo
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SDRAM - memória IC MT46V16M16P-5B da RDA: Paralela de M 256Mbit 200 megahertz 700 microplaqueta eletrônica do picosegundo 66-TSOP IC

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Number modelo :MT46V16M16P-5B:M
Quantidade de ordem mínima :>=1pcs
Termos do pagamento :L/C, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Capacidade da fonte :100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Prazo de entrega :2-3Days
Detalhes de empacotamento :Digi-carretel da fita & da fita do corte do carretel (TR) (CT)
Descrição :IC DRAM 256MBIT PARALELO 66TSOP
Montando o tipo :Montagem de superfície
Temperatura de funcionamento :0°C ~ 70°C
Pacote/caso :66-TSSOP
Tensão - fonte :2,5V ~ 2,7V
Tipo :Volátil
Tamanho de memória :256Mbit
Estado do produto :Ativo
Número baixo do produto :MT46V16M16
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SDRAM - memória IC MT46V16M16P-5B da RDA: Paralela de M 256Mbit 200 megahertz 700 microplaqueta eletrônica do picosegundo 66-TSOP IC

DESCRIÇÃO DO PRODUTO

Número da peça MT46V16M16P-5B: M é fabricado pela tecnologia Inc do mícron e distribuído por Stjk. Como um dos distribuidores principais de produtos eletrônicos, nós levamos muitos componentes eletrônicos dos fabricantes superiores do mundo.

Para obter mais informações sobre de MT46V16M16P-5B: As especificações detalhadas de M, cotações, execução prazos, termos do pagamento e mais, por favor não hesite contactar-nos. A fim processar seu inquérito, adicione por favor a quantidade MT46V16M16P-5B: M a sua mensagem. Envie um e-mail a stjkelec@hotmail.com para umas citações agora.

Características

• VDD = 2.5V ±0.2V, VDDQ = 2.5V ±0.2V

VDD = 2.6V ±0.1V, VDDQ = 2.6V ±0.1V (DDR400) 1

• Estroboscópio bidirecional dos dados (DQS) transmitido

recebido com dados, isto é, dados fonte-síncronos

captação (x16 tem dois – um pelo byte)

• Dobro-dados-taxa interna, canalizada (RDA)

arquitetura; dois acessos de dados pelo ciclo de pulso de disparo

• Entradas de pulso de disparo diferencial (CK e CK#)

• Os comandos entraram em cada borda positiva das CK

• DQS borda-alinhou com os dados para READs; centeraligned com dados para WRITEs

• DLL para alinhar transições de DQ e de DQS com as CK

• Quatro bancos internos para a operação simultânea

• A máscara dos dados (DM) para mascarar redige dados

(x16 tem dois – um pelo byte)

• Comprimentos estourados programáveis (BL): 2, 4, ou 8

• O automóvel refresca

– 64ms, ciclo 8192 (AIT)

– 16ms, ciclo 8192 (AAT)

• O auto refresca (não disponível em dispositivos de AAT)

• Longo-ligação TSOP para a confiança melhorada (OCPL)

• I/O 2.5V (SSTL_2-compatible)

• A auto opção simultânea da pré-carga apoiou

• t

Fechamento de RAS apoiado (t

RAP = t

RCD)

• AEC-Q100

• Submissão de PPAP

• tempo de resposta 8D

SDRAM - memória IC MT46V16M16P-5B da RDA: Paralela de M 256Mbit 200 megahertz 700 microplaqueta eletrônica do picosegundo 66-TSOP IC

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