Produtos Fornecedores Sign in Register

STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

A ELETRÔNICA CO. DE STJK (HK), LIMITOU Qualidade primeiramente, reputação primeiramente, serviço primeiramente, clientes primeiramente.

Manufacturer from China
Fornecedor verificado
4 Anos
Casa Catálogo de produtos Perfil da empresa Controle de qualidade Contate-nos Pedido de um contingente
Português
Casa / Produtos / IC Connectors /

FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado

Categorias de Produtos

Microplaqueta eletrônica de IC

 [183]

Microplaqueta programável de IC

 [171]

O computador IC lasca-se

 [17]

Dispositivos de semicondutor discretos

 [23]

Sensores do circuito integrado

 [60]

Proteção de circuito IC

 [34]

Conectores de IC

 [52]

Monitor da pressão sanguínea do braço

 [1]

Capacitores dos componentes eletrônicos

 [29]

Resistores dos componentes eletrônicos

 [9]

Componentes passivos eletrônicos

 [10]

Microplaqueta de IC da fonte de alimentação

 [59]

Relés dos componentes eletrônicos

 [11]

IC Optoeletrônico

 [12]

Transceptor IC do RF

 [11]

Transceptor IC do RFID

 [9]
Contate
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
Cidade:hong kong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrTom Guo
Ver detalhes de contato
Contate
China FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado wholesale
  • China FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado wholesale
  • China FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado wholesale
  • China FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado wholesale
  • China FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado wholesale
  • China FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado wholesale
  • China FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado wholesale
  • China FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado wholesale
  • China FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado wholesale

FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado
Pergunte o preço mais recente
Number modelo :FDB2614
Quantidade de ordem mínima :>=1pcs
Capacidade da fonte :30000 acres/acres por Day+pcs+2-3days
Prazo de entrega :2-3Days
Detalhes de empacotamento :Fita de rolo (TR) Banda de cisalhamento (CT)
Lugar de origem :China
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
Potência de saída :Padrão
Protocolo :Padrão
Tensão de funcionamento :4V
Temperatura de funcionamento :-55 ℃--℃ 150
more
Contate

Add to Cart
Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado

DESCRIÇÃO DO PRODUTO

A número da peça FDB2614 é fabricada por FAIRCHILD e distribuída por Stjk. Como um dos distribuidores principais de produtos eletrônicos, nós levamos muitos componentes eletrônicos dos fabricantes superiores do mundo.

Para obter mais informações sobre de FDB2614 detalhou especificações, cotações, prazos de execução, termos do pagamento e mais, por favor não hesite contactar-nos. A fim processar seu inquérito, adicione por favor a quantidade FDB2614 a sua mensagem. Envie um e-mail a stjkelec@hotmail.com para umas citações agora.

PROPRIEDADES DO PRODUTO

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
200 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
62A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
27mOhm @ 31A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±30V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
7230 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
260W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
² PAK DE D (TO-263)
Pacote/caso
TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB
Número baixo do produto
FDB261

FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado

FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado

FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado

FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado

Etiquetas de Produtos:

2sc5200 transistor detail

2sc5200 equivalent transistor

bd249c transistor
Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4