Eletrônica de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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Ohm 30MHz do MOSFET IC 1,4 do canal de SVF7N65F 650V N através do furo

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País / Região:china
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Ohm 30MHz do MOSFET IC 1,4 do canal de SVF7N65F 650V N através do furo

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Number modelo :SVF7N65F
Lugar de origem :Guangdong, China
Detalhes de empacotamento :caixa padrão
Quantidade mínima de encomenda :1
Tipo :MOSFET
Tipo do pacote :Durante todo o furo
Poder - máximo :46W
Frequência - transição :30MHz
Temperatura de funcionamento :150°C (TJ)
Montando o tipo :Através do furo
Pacote/caso :TO220F
Drene à tensão da fonte (Vdss) :650V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :1,4 ohms
Vgs (máximo) :30 V
Dreno atual (identificação) - máxima :7A
Resíduos :Em existência
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Introduzindo o transistor de alta potência de SVF7N65F SI7N65F

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Tipo designador

SVF7N65F

Tipo de transistor

MOSFET

Tipo de canal de controle

N - canal

Dissipação de poder máxima (paládio)

46 W

Tensão máxima da Dreno-fonte |Vds|

650 V

Tensão máxima da Porta-fonte |Vgs|

30 V

Corrente máxima do dreno |Identificação|

7 A

Temperatura de junção máxima (Tj)

°C 150

Tempo de elevação (tr)

48 nS

Capacidade da Dreno-fonte (CD)

98,6 PF

Resistência máxima do Em-estado da Dreno-fonte (RDS)

1,4 ohms

Pacote

TO220F

 

 

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