Eletrônica de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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transistor durável do MOSFET do canal de 650V N, elevado desempenho de FQPF10N65C

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transistor durável do MOSFET do canal de 650V N, elevado desempenho de FQPF10N65C

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Number modelo :FQPF10N65C
Série :FQPF10N65C
Tipo :MOSFET
Tensão avaliado :650V
Polaridade :N-canal
D/c :Novo
Circunstância :Novo
Resíduos :Em existência
Quantidade mínima de encomenda :1
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MOSFET de capacidade elevada do N-canal

FQPF10N65C - O MOSFET final para todas suas necessidades do poder

 

Introduzindo o FQPF10N65C, um MOSFET poderoso do N-canal que seja projetado com eficiência e confiança extremas na mente. Este MOSFET de capacidade elevada é construído para segurar as aplicações de alta tensão, fazendo lhe a escolha final para suas necessidades do poder. Com uma avaliação da tensão da dreno-fonte (VDS) de 650 volts, o FQPF10N65C é projetado segurar facilmente altas tensões. Adicionalmente, sua avaliação da corrente de fonte de 10 ampères assegura-se de que possa acomodar níveis elevados de atual sem nenhumas edições.

 

O FQPF10N65C vangloria-se de uma baixa em-resistência (RDSon) de somente 0,7 ohms, fazendo a altamente eficiente e capaz de conduzir correntes altas com perda de poder mínima. Seus meios rápidos da velocidade de comutação que o MOSFET pode rapidamente girar de ligar/desligar, se assegurando de que responda rapidamente a todas as mudanças na corrente elétrica. Em seu núcleo, o FQPF10N65C é um MOSFET seguro e durável que seja projetado encontrar padrões rigorosos da qualidade e do desempenho. Se você está trabalhando em fontes de alimentação, em circuitos de controlo do motor, ou em quaisquer outras aplicações de alta tensão, o FQPF10N65C é o MOSFET final para todas suas necessidades do poder. Em resumo, se você está procurando um MOSFET de capacidade elevada do N-canal que seja projetado para a eficiência, a durabilidade, e a confiança, olhe não mais adicional do que o FQPF10N65C. É a escolha final para todas suas necessidades do poder.

 

Nota: Recorde usar palavras-chaves e frases tais como “o MOSFET de capacidade elevada”, “a eficiência extrema”, “a escolha segura”, “final”, do “as necessidades poder”, “altas tensões”, a “baixa em-resistência”, “a velocidade de comutação”, “durável rápidos”, e “padrões rigorosos da qualidade e do desempenho”. Isto ajudará a melhorar a classificação de SEO e a aumentar as possibilidades da descrição que aparece na parte superior de resultados do Search Engine.

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