FQPF8N60C é um transistor do MOSFET que seja projetado para aplicações da eletrônica do elevado desempenho. Como um vendedor experiente no campo da eletrônica, nós estamos seguros em recomendar este componente aos clientes que estão procurando componentes seguros e eficientes da eletrônica. Este transistor do MOSFET entrega uma baixa em-resistência e uma capacidade de comutação rápida que ajude a aumentar a eficiência de sistemas eletrônicos. Tem uma tensão da dreno-fonte de 600V e pode segurar uma dissipação de poder máxima de 176W.

Além disso, facilita o uso de dissipadores de calor menores e simplifica a gestão térmica de projetos eletrônicos. O FQPF8N60C é uma solução eficaz na redução de custos para as aplicações de comutação do poder que exigem o elevado desempenho e a capacidade de comutação rápida. Com suas construção resistente e características elétricas excelentes, garante uma operação segura e eficiente para seu sistema eletrônico. Invista no FQPF8N60C hoje e aprecie os benefícios de um transistor de capacidade elevada do MOSFET que seja garantido para encontrar suas necessidades da eletrônica.

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Características técnicas:

Tecnologia: Si
Montando o estilo: Através do furo
Pacote/caso: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-canal
Número de canais: 1 canal
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte: 600 V
Identificação - corrente contínua do dreno: 7,5 A
RDS - na resistência da Dreno-fonte: 1,2 ohms
Vgs - tensão da Porta-fonte: - 30 V, + 30 V
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte: 4 V
Qg - carga da porta: 28 nC
Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C
Paládio - dissipação de poder: 48 W
Modo do canal: Realce
Série: FQPF8N60C
Empacotamento: Tubo
Tipo: onsemi/Fairchild
Configuração: Único
Tempo de queda: 64,5 ns

Etiquetas de Produtos:

Microplaqueta prática da disposição do transistor 600V, MOSFET FQPF8N60C do elevado desempenho

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