Eletrônica de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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canal do transistor de poder superior TO-220-3 de 100V 33A IRF540NPBF N

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canal do transistor de poder superior TO-220-3 de 100V 33A IRF540NPBF N

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Number modelo :IRF540NPBF
Número da peça. :IRF540NPBF
Tipo :MOSFET
Polaridade do transistor :N-canal
Pacote/caso :TO-220-3
TIPO :Infineon Technologies
Circunstância :Novo
Resíduos :Em existência
Quantidade mínima de encomenda :1
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Transistor de poder de capacidade elevada

Descrição de IRF540NPBF: Projeto superior para eletrônica avançada

 

Se você está procurando um transistor de poder avançado para seus projetos da eletrônica, olhe não mais adicional do que o IRF540NPBF. Este transistor de capacidade elevada é projetado entregar resultados excepcionais, com um projeto superior que assegure a eficiência e a confiança ótimas. Caracterizando uma capacidade de alta tensão até de 100V, o IRF540NPBF pode operar-se em uma vasta gama de aplicações. Igualmente vangloria-se de uma capacidade atual alta até de 33A, fazendo o ideal para o uso nos circuitos de exigência que exigem capacidades de comutação poderosas.

 

Mas o que se ajusta realmente o IRF540NPBF é distante seu projeto avançado. Com uma baixa resistência do em-estado e umas velocidades de comutação rápidas, este transistor entrega o desempenho excepcionalmente eficiente e seguro. Igualmente caracteriza uma construção áspera que o faça resistente para danificar dos fatores ambientais como a temperatura e a vibração.

 

Assim se você está procurando um transistor de poder de capacidade elevada que possa entregar resultados superiores mesmo nas aplicações de exigência, escolha o IRF540NPBF. Com seus projeto excepcional e desempenho seguro, é a escolha perfeita para projetos avançados da eletrônica.

 

 

Características técnicas:

  • Tecnologia: Si
  • Montando o estilo: Através do furo
  • Pacote/caso: TO-220-3
  • Polaridade do transistor: N-canal
  • Número de canais: 1 canal
  • Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte: 100 V
  • Identificação - corrente contínua do dreno: 33 A
  • RDS - na resistência da Dreno-fonte: 44 mOhms
  • Vgs - tensão da Porta-fonte: - 20 V, + 20 V
  • Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte: 2 V
  • Qg - carga da porta: 47,3 nC
  • Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
  • Temperatura de funcionamento máximo: + 175 C
  • Paládio - dissipação de poder: 140 W
  • Modo do canal: Realce
  • Empacotamento: Tubo
  • Tipo: Infineon Technologies
  • Configuração: Único
  • Altura: 15,65 milímetros
  • Comprimento: 10 milímetros
  • Tipo de produto: MOSFET
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