Eletrônica de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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Transistor SPA20N60C3 e MOSFET 600V 20A para a eletrônica do elevado desempenho

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MrTony Zhang
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Transistor SPA20N60C3 e MOSFET 600V 20A para a eletrônica do elevado desempenho

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Number modelo :SPA20N60C3
Tipo :MOSFET
Série :SPA20N60C3
D/c :Novo
Circunstância :Novo & original
original :SIM
Resíduos :Em existência
Quantidade mínima de encomenda :1
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Mosfet SPA20N60C3 poderoso para a eletrônica de capacidade elevada

Profissionais - e - contra do Mosfet SPA20N60C3

 

Como um líder no campo da eletrônica, nós recomendamos altamente o Mosfet SPA20N60C3 para seus desempenho e eficiência excepcionais em uma vasta gama de aplicações. Com uma avaliação da tensão de 600V e uma avaliação atual de 20A, este Mosfet é perfeito para a eletrônica de capacidade elevada que gestão do poder do topo de gama da procura. Um dos profissionais principais do Mosfet SPA20N60C3 é sua baixa resistência do em-estado, que os meios ele podem segurar perdas altas da corrente e de baixa potência, tendo por resultado a eficiência elevada e a geração de calor reduzido. Isto fazem-lhe uma grande escolha para fontes de alimentação, os inversores solares, os controlos do motor, e outras aplicações que exigem o interruptor de alta frequência.

 

Uma outra vantagem do Mosfet SPA20N60C3 é suas confiança e durabilidade. Construiu com tecnologia avançada que assegura um tempo mais longo e uma manutenção mínima. Este é uma medida significativa da economia de gastos para negócios e os indivíduos que confiem na eletrônica de capacidade elevada. Contudo, como todo o Mosfet, há algum contra a usar o SPA20N60C3. Um engodo é que não é apropriado para as aplicações da baixa tensão devido a sua avaliação de alta tensão. Adicionalmente, não pode ser a opção a mais eficaz na redução de custos para alguns projetos, porque é um Mosfet do alto-fim com um ponto de um preço mais alto. Totais, nós recomendamos altamente o Mosfet SPA20N60C3 para seu desempenho excepcional em uma vasta gama de aplicações. Suas eficiência elevada, confiança, e durabilidade fazem-lhe uma grande escolha para a eletrônica de exigência.

 

 

Características técnicas:

  • Tecnologia: Si
  • Montando o estilo: Através do furo
  • Pacote/caso: TO-220FP-3
  • Polaridade do transistor: N-canal
  • Número de canais: 1 canal
  • Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte: 600 V
  • Identificação - corrente contínua do dreno: A 20,7
  • RDS - na resistência da Dreno-fonte: 190 mOhms
  • Vgs - tensão da Porta-fonte: - 20 V, + 20 V
  • Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte: 2,1 V
  • Qg - carga da porta: 87 nC
  • Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
  • Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C
  • Paládio - dissipação de poder: 34,5 W
  • Modo do canal: Realce
  • Tradename: CoolMOS
  • Série: CoolMOS C3
  • Empacotamento: Tubo
  • Tipo: Infineon Technologies
  • Configuração: Único
  • Tempo de queda: 4,5 ns
  • Altura: 16,15 milímetros
  • Comprimento: 10,65 milímetros
  • Tipo de produto: MOSFET
  • Tempo de elevação: 5 ns
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