Melhore o desempenho de seu Hashboard com o MOSFET 2N7002, projetado especialmente aumentar a funcionalidade das aplicações 3.3V. Com uma baixa porta à tensão do ponto inicial da fonte de 2.1V, este MOSFET é perfeito para aplicações da gestão do poder, permitindo o de manter-se comutar o ponto baixo do uso da elevação e da energia do desempenho. Sua baixa resistência do em-estado assegura-se de que permaneça energia eficiente quando estiver ligada.

O sinal de adição, sua versão de SMD é incredibly conveniente para aplicações pequenas, com o potencial resistir a corrente 200mA contínua e os picos 1A com ponto inicial máximo da tensão. Tão por que espera? Promova seu Hashboard hoje e eleve sua experiência de mineração com o MOSFET 2N7002!

Categoria de produto	MOSFET
Tecnologia	Si
Montando o estilo	SMD/SMT
Pacote/caso	SOT-23-3
Polaridade do transistor	N-canal
Número de canais	1 canal
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte	60 V
Identificação - corrente contínua do dreno	115 miliampères
RDS - na resistência da Dreno-fonte	1,2 ohms
Vgs - tensão da Porta-fonte	- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte	1 V
Qg - carga da porta	-
Temperatura de funcionamento mínima	- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo	+ 150 C
Paládio - dissipação de poder	200 mW
Modo do canal	Realce
Configuração	Único
Altura	1,2 milímetros
Comprimento	2,9 milímetros
Produto	Sinal pequeno do MOSFET
Série	2N7002
Tipo do transistor	1 N-canal
Largura	1,3 milímetros
Transcondutância dianteira - minuto	0,08 S
Tipo de produto	MOSFET
Parte # pseudônimos	2N7002_NL
Peso de unidade	0,000282 onças

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microplaqueta da substituição do N-CANAL 60V 115mA do MOSFET de 2N7002 2N7002-7-F

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MOSFET Energia-eficiente de SMD para o desempenho melhorado de Hashboard

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ltc3108 ic chip

ic chip l1248817