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Eletrônica de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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IRF1407 75V MOSFET de alimentação HEXFET de canal N único em um chip de substituição da unidade de alimentação TO-220AB

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China IRF1407 75V MOSFET de alimentação HEXFET de canal N único em um chip de substituição da unidade de alimentação TO-220AB wholesale
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IRF1407 75V MOSFET de alimentação HEXFET de canal N único em um chip de substituição da unidade de alimentação TO-220AB
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Number modelo :IRF1407
Lugar de origem :Guangdong, China
Detalhes de empacotamento :Caixa padrão
Quantidade mínima de encomenda :1
Tipo :MOSFET
Tipo do pacote :Durante todo o furo
Aplicação :Fonte de alimentação
Temperatura de funcionamento :-45 a +125
Pacote/caso :TO-220AB
Tipo do FET :Canal de N
Drene à tensão da fonte (Vdss) :75V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :130,0 A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :7,8 mOhms
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :3,0 V 2,0 V 4,0 V
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :160,0 nC
Resíduos :Em existência
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IRF1407 MOSFET de potência HEXFET de canal N único de 75 V num pacote TO-220AB

 

Características:

  • Estrutura de célula planar para SOA larga
  • Otimizado para maior disponibilidade dos parceiros de distribuição
  • Qualificação do produto de acordo com a norma JEDEC
  • Silicio otimizado para aplicações com comutação inferior a 100 kHz
  • Pacote de alimentação padrão da indústria
  • Pacote de capacidade de carga de alta corrente (até 195 A, dependendo do tamanho da matriz)
  • De potência não superior a 1000 W

 

Parâmetros

IRF1407

ID (@25°C) máximo

130.0 A

Instalação

THT

Ptot max

330.0 W

Pacote

TO-220

Polaridade

N

QG (tipo @10V)

160.0 nC

Qgd

54.0 nC

RDS (acendido) (@10V) máximo

70,8 mOhms

RthJC máximo

0.45 K/W

Tj máximo

1750,0 °C

VDS máximo

75.0 V

VGS ((th) min max

3.0 V 2.0 V 4.0 V

VGS máximo

20.0 V

 

 

Etiquetas de Produtos:

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