Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Manufacturer from China
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4 Anos
Casa / Produtos / GaN Epitaxial Wafer /

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:Xiwen Bai (Ciel)
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10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer

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Number modelo :JDCD01-001-003
Lugar de origem :Suzhou China
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :10000pcs/Month
Prazo de entrega :3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Dimensões :10 x 10,5 mm²
Espessura :350 ±25µm
TTV :µm do ≤ 10
Curva :- 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Densidade macro do defeito :² 0cm⁻
Área útil :> 90% (exclusão da borda)
Nome do produto :GaN Epitaxial Wafer
Padrões nacionais de China :GB/T32282-2015
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a C-cara 10*10.5mm2 Fe-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·bolacha dos dispositivos RF do cm


Vista geral

Nós vendemos diretamente da fábrica, e podemos consequentemente oferecer os melhores preços do mercado para as carcaças de cristal de alta qualidade de GaN. Os clientes do mundo inteiro confiaram nossas fontes como seu fornecedor preferido das carcaças de cristal de GaN.

O nitreto do gálio, ou GaN, são um material que esteja começando ser usado para semicondutores nos carregadores. Foi usado para fazer o diodo emissor de luz que começa nos anos 90, e é igualmente um material popular para disposições de célula solar em satélites. O elemento principal sobre GaN quando se trata dos carregadores é que produz menos calor.

10 x 10,5 mm2 GaN Substrates autônomo
Artigo GaN-FS-C-U-S10 GaN-FS-C-N-S10 GaN-FS-C-SI-S10

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer

Observações:
Um ângulo circular do arco (R < 2="" mm="">

Dimensões 10 x 10,5 milímetros2
Espessura µm 350 ±25
Orientação Plano de C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°
Tipo da condução N-tipo N-tipo Semi-isolamento
Resistividade (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm do ≤ 10
Curva - 10 µm do ≤ 10 da CURVA do ≤ do µm
Aspereza de superfície da cara de GA < 0=""> ou < 0="">
Aspereza de superfície da cara de N 0,5 μm ~1,5
opção: 1~3 nanômetro (terra fina); < 0="">
Densidade de deslocação De 1 x 105 a 3 x 106 cm2 (calculados pelo CL) *
Densidade macro do defeito 0 cm2
Área útil > 90% (exclusão da borda)
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no recipiente de 6 PCS, sob uma atmosfera do nitrogênio

padrões do *National de China (GB/T32282-2015)

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

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