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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Produtos / GaN Epitaxial Wafer / 5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal /

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GaN Epitaxial Wafer

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Bolacha sic Epitaxial

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GaAs Epi Wafer

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Substratos de Diamante CVD

 [15]

Sistema de recozimento térmico rápido

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Testador de Sensor de Efeito Hall

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Bolacha do nitreto de alumínio

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Microplaqueta do diodo láser

 [10]

Cristal do carboneto de silicone

 [12]

Bolacha Ga2O3

 [13]

bolacha de silicone

 [26]

Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelada

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Suporte da bolacha do

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Máquina de cortar bolacha

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5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal
5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Dopado Si Tipo Gan Substrato Monocristal
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5*10mm2Face SP (20-21)/(20-2-1) Tipo SI não dopado Substrato monocristal de GaN independente Resistividade > 106Wafer de dispositivos de RF de Ω·cm ...
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Gan semicondutor - O que é? Papan led pcb

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