Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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0.015Ω•cm-0.025Ω•C-cara sic Epitaxial da bolacha do cm: Polonês ótico, CMP da Si-cara
Vista geral
Sic uma bolacha é um material do semicondutor feito do silicone. Uma bolacha do carboneto de silicone é um material cristalino que seja feito gravando o cristal. É tipicamente fina bastante ser usada para dispositivos de semicondutor do poder. O outro tipo é um tipo de isolador.
A variação da temperatura é extremamente importante para elétrico e campo magnèticos em semicondutores do poder. Uma bolacha do carboneto de silicone é condutora em ambos os sentidos.
| especificação da carcaça do carboneto de silicone de 6 polegadas de diâmetro (sic) | ||||
| Categoria | Categoria zero da produção de MPD (categoria de Z) | Categoria do manequim (graduado de D) | ||
| Diâmetro | 149.5mm~150.0mm | |||
| Espessura | 4H-N | 350μm±20μm | 350μm±25μm | |
| 4H-SI | 500μm±20μm | 500μm±25μm | ||
| Orientação da bolacha | Fora da linha central: 4.0°toward <1120>±0.5°for 4H-N, na linha central: <0001>±0.5°for 4H-SI | |||
| Densidade de Micropipe | 4H-N | ² de ≤0.5cm- | ² de ≤15cm- | |
| 4H-SI | ² de ≤1cm- | ² de ≤15cm- | ||
| Resistividade | 4H-N | 0.015~0.025Ω·cm | 0.015~0.028Ω·cm | |
| 4H-SI | ≥1E9Ω·cm | ≥1E5Ω·cm | ||
| Orientação lisa preliminar | {10-10} ±5.0° | |||
| Comprimento liso preliminar | 4H-N | 47,5 mm±2.0 milímetro | ||
| 4H-SI | Entalhe | |||
| Exclusão da borda | 3mm | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤3μm/≤6μm/≤30μm/≤40μm | ≤5μm/≤15μm/≤40μm/≤60μm | ||
| Aspereza | Cara do silicone | CMP Ra≤0.2nm | Ra≤0.5nm | |
| Cara de carbono | Ra≤1.0nm polonês | |||
| Quebras da borda pela luz da alta intensidade | Nenhum | ≤ cumulativo do comprimento 20 milímetros, único length≤2 milímetro | ||
| O ※ encanta placas pela luz da alta intensidade | Area≤0.05% cumulativo | Area≤0.1% cumulativo | ||
| Áreas de Polytype do ※ pela luz da alta intensidade | Nenhum | Area≤3% cumulativo | ||
| Inclusões visuais do carbono | Area≤0.05% cumulativo | Area≤3% cumulativo | ||
| Riscos da superfície do silicone pela luz da alta intensidade | Nenhum | Diâmetro cumulativo de length≤1×wafer | ||
| Borda Chips By High Intensity Light | Nenhuns permitiram a largura e a profundidade de ≥0.2 milímetro | 5 reservados, ≤1 milímetro cada um | ||
| Contaminação de superfície do silicone pela luz da alta intensidade | Nenhum | |||
| Empacotamento | gaveta da Multi-bolacha ou único recipiente da bolacha | |||
Observação: a exclusão da borda de 3mm é usada para os artigos identificados por meio de A.
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
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Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
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Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
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Pagamento <>
>=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.