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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Produtos / SiC Epitaxial Wafer / Tipo 6inch 4H do SI do nível P que isola sic semi a carcaça 150mm /

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Bolacha sic Epitaxial

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GaAs Epi Wafer

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Substratos de Diamante CVD

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Sistema de recozimento térmico rápido

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Testador de Sensor de Efeito Hall

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Bolacha do nitreto de alumínio

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Cristal do carboneto de silicone

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Bolacha Ga2O3

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Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelada

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Suporte da bolacha do

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Máquina de cortar bolacha

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Tipo 6inch 4H do SI do nível P que isola sic semi a carcaça 150mm
Tipo 6inch 4H do SI do nível P que isola sic semi a carcaça 150mm
  • Tipo 6inch 4H do SI do nível P que isola sic semi a carcaça 150mm
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Si-tipo 6inch 4H-SiC do nível P que isola semi a carcaça 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm Si-tipo 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9...
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propriedades de alumínio secção 6063 Profil de alumínio vdk Alumínio com perfil de dissipador de calor

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