Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Produtos / SiC Epitaxial Wafer / Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um /

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Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
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Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um
  • Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um
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