Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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Corrente Limiar 0,5A Laser Diodo Chip Eficiência de Conversão de Energia 58%
Chip laser de diodo COS 915nm 10W em design de submontagem
A integração no chip de diodos laser e fotodetectores com guias de ondas de nanofios de silício é demonstrada.Através da ligação flip-chip de diodos de laser GaInNAs/GaAs diretamente no substrato de silício, a dissipação de calor eficiente foi realizada e temperaturas características de até 132K foram alcançadas.Foram utilizados conversores de tamanho de ponto para o acoplamento laser-guia de onda, com eficiências superiores a 60%.
Os fotodetectores foram fabricados pela ligação de wafers de InGaAs/InP diretamente a guias de ondas de silício e formação de estruturas metal-semicondutor-metal, fornecendo responsividades de até 0,74 A/W.Tanto o diodo laser quanto o fotodetector foram integrados com um único guia de onda de silício para demonstrar um link de transmissão óptica completo no chip.
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óptico
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Comprimento de onda central
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915nm
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Potência de saída
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10W
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Largura Espectral FWHM
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≤6 nm
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Eficiência de inclinação
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1,0 W/A
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Divergência de Eixo Rápido
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60 graus
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Divergência de eixo lento
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11 graus
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Modo de polarização
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TE
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Tamanho do Emissor
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94um
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Elétrico
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Limite atual
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0,5A
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Corrente Operacional
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12A
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Tensão operacional
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1,65V
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Eficiência de conversão de energia
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58%
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Térmico
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Temperatura de operação
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15-55℃
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Temperatura de armazenamento
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-30-70℃
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Comprimento de onda Temp.Coeficiente
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0,3nm/℃
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Perguntas frequentes
Q1: Quais métodos de pagamento você suporta?
T/T e Western Union, para sua escolha
Q2: Quanto tempo posso receber o pacote?
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P5: você pode garantir sua qualidade?
Claro, somos um dos principais fabricantes de renome na China.A qualidade para nós é o mais importante, valorizamos muito a nossa reputação.Melhor qualidade é o nosso princípio o tempo todo.