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Chip laser de diodo COS 915nm 10W em design de submontagem
Nos últimos anos, houve uma extensa pesquisa sobre os vários tipos de componentes ópticos baseados em silício necessários para a interconexão óptica no chip.Esses componentes incluem guias de onda, fontes de luz, fotodetectores e moduladores.
Devido à dificuldade em produzir emissores de luz baseados em silício bombeados eletricamente, a integração direta de materiais é um forte candidato para a realização de uma fonte de luz eficiente no chip.
óptico
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Comprimento de onda central
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915nm
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Potência de saída
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10W
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Largura Espectral FWHM
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≤6 nm
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Eficiência de inclinação
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1,0 W/A
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Divergência de Eixo Rápido
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60 graus
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Divergência de eixo lento
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11 graus
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Modo de polarização
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TE
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Tamanho do Emissor
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94um
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Elétrico
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Limite atual
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0,5A
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Corrente Operacional
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12A
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Tensão operacional
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1,65V
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Eficiência de conversão de energia
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58%
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Térmico
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Temperatura de operação
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15-55℃
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Temperatura de armazenamento
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-30-70℃
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Comprimento de onda Temp.Coeficiente
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0,3nm/℃
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Perguntas frequentes
Q1: Quais métodos de pagamento você suporta?
T/T e Western Union, para sua escolha
Q2: Quanto tempo posso receber o pacote?
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