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Carcaças Undoped da bolacha 2inch GaAs do GaAs-si 100) ((100) 15°±0.5° fora de TowardA<111>
Vista geral
O arsenieto de gálio (fórmula química GaAs) é um composto do semicondutor usado em algum diodo s, em transistor s do efeito de campo (FETs), e em circuito integrado s (CI). Os portador de carga, que são na maior parte o elétron s, movimento na alta velocidade entre o átomo S. Isto faz componentes do GaAs úteis em radiofrequência ultra-altas, e em aplicações rápidas da comutação eletrônica. Os dispositivos do GaAs geram menos ruído do que a maioria outros de tipos de componentes do semicondutor. Isto é importante na amplificação do fraco-sinal.
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Bolacha do GaAs-si |
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Método do crescimento |
VGF |
| Tipo da conduta | S-C-N |
| Entorpecente | GaAs-si |
| Orientação | (100) 15°±0.5° fora de TowardA<111> |
| Ângulo da orientação | 0° |
| Da orientação | EJ [0-1-1] ±0.5° |
| Do comprimento (milímetros) | 17±1 |
| SE orientação | EJ [0-11] ±0.5° |
| SE comprimento (milímetros) | 7±1 |
| Diâmetro (milímetros) | 50.8±0.2 |
| Centímetro cúbico (/c.c.) | 0.4E18~1E18 |
| Resistividade (ohm.cm) | N/A |
| Mobilidade (cm2/v.s) | ≥1000 |
| EPD (/cm2) | ≤5000 |
| Espessura (um) | 350±20 |
| TTV (um) | <10> |
| TTR (um) | <10> |
| Curve (um) | <15> |
| Entorte (um) | <15> |
| Superfície | Side1: Side2 lustrado: Gravado |
| Empacotamento | Gaveta ou único |
Sobre nós
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.
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