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JDCD06-001-006 Dispositivos MEMS de wafer de silício de 8 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos

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JDCD06-001-006 Dispositivos MEMS de wafer de silício de 8 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos

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Number modelo :JDCD06-001-006
Lugar de origem :Suzhou China
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :50000pcs/month
Prazo de entrega :3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Diâmetro :8"
Categoria :Principal
Método do crescimento :CZ
Orientação :<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/entorpecente :Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Espessura (μm) :725
Tolerância da espessura :± padrão 25μm, ± máximo 5μm das capacidades
resistividade :0.001-100 ohm-cm
De superfície terminado :P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) :<10 padrão um, Capabilities<5 máximo um
Curva/urdidura :<40 padrão um, Capabilities<20 máximo um
Partícula :<10>
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Dispositivos MEMS wafer de silício de 8 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos


Visão geral

Na eletrônica, os wafers de silício (também conhecidos como substratos) são finas fatias de silício cristalino de alta pureza (c-Si), usadas na produção de circuitos integrados - um composto de vários componentes eletrônicos.Os wafers de silício desempenham um papel importante na indústria de semicondutores, pois encontram sua aplicação em dispositivos eletrônicos e micromecânicos.

Embora os cristais de silício possam parecer metálicos, eles não são inteiramente metais.Devido aos "elétrons livres" que se movem facilmente entre os átomos, os metais são bons condutores de eletricidade, e a eletricidade é o movimento dos elétrons.Um cristal de silício puro, por outro lado, é quase um isolante;permitindo que muito pouca eletricidade passe por ele.No entanto, isso pode ser alterado por meio de um processo chamado doping.

Especificação

bolacha de silício

Diâmetro

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Nota Melhor
Crescimento Método CZ
Orientação <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/Dopante Tipo P/Boro, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb
Espessura (μm) 279/380/525/625/675/725/775
Grossura Tolerância Padrão ± 25μm, Capacidade(s) Máxima(s) ± 5μm
Resistividade 0,001-100 ohm-cm
Superfície Finalizado P/E,P/P,E/E,G/G
TTV(μm) Padrão <10 um, Capacidades máximas <5 um
arco/urdidura Padrão <40 um, Capacidades máximas <20 um
Partícula <10@0,5um;<10@0,3um;<10@0,2um;

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
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ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
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Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
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Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

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