Espessura (μm)279 Silicon Wafer TTV(μm) Padrão <10 um, Capacidade máxima <5 μm
Dispositivos MEMS de wafer de silício de 2 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos
Visão geral
Os wafers de silício (Si) são materiais de substrato primário na área microeletrônica e microeletromecânica por causa de suas propriedades superiores, que podem ser ajustadas.Neste capítulo, primeiro fornecemos uma visão geral das técnicas de usinagem por descarga elétrica.Além disso, também são discutidos os resultados de capacidade e desempenho de técnicas de usinagem de descarga elétrica para usinagem de cavidades tridimensionais em Si com configurações de parâmetros ideais.
Especificação
| bolacha de silício |
|
Diâmetro
|
2"/3"/4"/5"/6"/8"/12" |
| Nota |
Melhor |
| Crescimento Método |
CZ |
| Orientação |
<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0> |
| Tipo/Dopante |
Tipo P/Boro, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb |
| Espessura (μm) |
279/380/525/625/675/725/775 |
| Grossura Tolerância |
Padrão ± 25μm, Capacidade(s) Máxima(s) ± 5μm |
| Resistividade |
0,001-100 ohm-cm |
| Superfície Finalizado |
P/E,P/P,E/E,G/G |
| TTV(μm) |
Padrão <10μm, Capacidades Máximas <5 μm |
| arco/urdidura |
Padrão <40 μm, Capacidades Máximas <20 μm |
| Partícula |
<10@0,5μm;<10@0,3μm;<10@0,2μm; |
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
Perguntas frequentes
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