0,001-100 ohm-cm Partícula de Wafer de Silício <10@0,5μm <10@0,3μm <10@0,2μm
Dispositivos MEMS de wafer de silício de 2 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos
Visão geral
Dependendo do nível em que o silício foi dopado, o semicondutor pode ser considerado extrínseco ou degenerado.Os extrínsecos seriam levemente a moderadamente dopados, enquanto os semicondutores degenerados agem mais como condutores devido aos altos níveis de dopagem que ocorrem durante a fabricação.
Especificação
| bolacha de silício |
|
Diâmetro
|
2"/3"/4"/5"/6"/8"/12" |
| Nota |
Melhor |
| Crescimento Método |
CZ |
| Orientação |
<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0> |
| Tipo/Dopante |
Tipo P/Boro, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb |
| Espessura (μm) |
279/380/525/625/675/725/775 |
| Grossura Tolerância |
Padrão ± 25μm, Capacidade(s) Máxima(s) ± 5μm |
| Resistividade |
0,001-100 ohm-cm |
| Superfície Finalizado |
P/E,P/P,E/E,G/G |
| TTV(μm) |
Padrão <10 μm, Capacidades Máximas <5 μm |
| arco/urdidura |
Padrão <40 μm, Capacidades Máximas <20 μm |
| Partícula |
<10@0,5μm;<10@0,3μm;<10@0,2μm; |
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
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