Ga polido de lado único2O3Espessura do substrato de cristal único 0,6 ~ 0,8 mm
10x15mm2(010) Ga independente dopado com Sn2O3substrato de cristal único Grau de produto polimento único Espessura 0,6~0,8 mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0,5nm Resistência 2,00E+17Ω/cm-3Dispositivos optoeletrônicos, camadas isolantes de materiais semicondutores e filtros UV
GaN está crescendo em importância por causa de sua capacidade de oferecer desempenho significativamente aprimorado em uma ampla gama de aplicativos, reduzindo a energia e o espaço físico necessários para fornecer esse desempenho em comparação com as tecnologias de silício convencionais.
O silício tem sido o material de escolha para a fabricação de eletrônicos importantes, incluindo tudo, desde computadores e smartphones até televisores e câmeras.
| Substrato de nitreto de gálio -- Nível de pesquisa |
| Dimensão |
10*15mm |
10*10mm |
| Grossura |
0,6~0,8mm |
| Orientação |
(010) |
| Doping |
Sn |
| superfície polida |
Único lado polido |
| Resistividade/Nd-Na |
2.00E+17 |
1.53E+18 |
| FWHM |
<350 segundos de arco |
| Rá |
≤ 0,5 nm |
| Pacote |
Embalado em um ambiente de sala limpa classe 100, sob uma atmosfera de nitrogênio |
Sobre nós
Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.
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