Tecnologia Co. da eletrônica de Guangdong Huixin, Ltd.

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MMDT3946DW DUAL o transistor SOT-363 de NPN e de PNP para a amplificação da baixa potência

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Tecnologia Co. da eletrônica de Guangdong Huixin, Ltd.
Cidade:dongguan
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MsMarissa Wang
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MMDT3946DW DUAL o transistor SOT-363 de NPN e de PNP para a amplificação da baixa potência

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Número de modelo :MMDT3946DW SOT-363
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :3000pcs
Termos do pagamento :T/T, Paypal, dinheiro
Tempo de entrega :2-4 semanas
Capacidade da fonte :1 bilhão partes do mês
Detalhes de empacotamento :carretel 3000pcs/
Tipo :Transistor duplo
Materiais :transistor do silicone
Pacote :Transistor de SMD
MPQ :3000pcs
MOQ :3000pcs
Tempo da amostra :5-7 dias
O prazo de execução :2-4 semanas
Estado sem chumbo :RoHS complacente
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TRANSISTOR DUPLO DE MMDT3946DW (NPN+PNP) SOT-363
MMDT3946DW ÉBRIO 363 do transistor DUPLO de NPN e de PNP para a amplificação da baixa potência
 
 
CARACTERÍSTICAS
 
 
  • Pares complementares
  • Um 3904-Type NPN
  • Um 3906-Type PNP
  • Planar Epitaxial morre construção
  • Ideal para a amplificação e o interruptor da baixa potência

 

 
 
 
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (TA=25℃ salvo disposição em contrário)
 
 
Parâmetro Símbolo

 

Valor

 

Unidades
Tensão da Coletor-base VCBO

 

60

 

V
Tensão do Coletor-emissor VCEO

 

40

 

V
Tensão da Emissor-base VEBO

 

5

 

V
Corrente de coletor - contínua IC

 

200

 

miliampère
Dissipação do coletor PC

 

200

 

mW
Temperatura de junção Tj

 

150

 

 

 

 

 

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