Estes dispositivos são Pb−Free e são RoHS complacente, pacote da montagem da superfície de Ultra−Small, baixo escapamento do entrada/saída, velocidade de comutação rápida, eficiência de sistema melhorada.

MMBT7002W SOT-323 Datasheet.pdf

CARACTERÍSTICAS

1. Projeto da pilha do alto densidade para o baixo RDS (SOBRE)
2. interruptor pequeno controlado do sinal da tensão
3. áspero e seguro
4. capacidade alta da corrente de saturação

5. pacote de superfície da montagem da pegada pequena

APLICAÇÕES

interruptor 1.Load para dispositivos portáteis
Conversor de 2.DC/DC

interruptor lateral da carga 3.Low

Avaliações máximas (Ta =25℃ salvo disposição em contrário)

Parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da Dreno-fonte	VDS	60	V
Tensão da Porta-fonte	VGS	20	V
Corrente contínua do dreno	Identificação	0,115
Temperatura de junção	TJ	150	℃
Temperatura de armazenamento	TSTG	-50~150	℃
Dissipação de poder máxima	Paládio	0,2	W

MOSFET SC-70 SOT-323 do sinal do canal de MMBT7002W 60V 115mA N

Diodo de retificador rápido da recuperação

Diodo de retificador de uso geral

Diodo de retificador da barreira de Schottky

Diodo de Zener

Transistor de SMD

Retificador de ponte do silicone

Diodo de comutação de alta velocidade

Diodo transiente do supressor da tensão das tevês

Baixo diodo de VF Schottky

Diodo do supressor do ESD

Mosfet da baixa tensão

Mosfet de alta tensão

MOSFET SC-70 SOT-323 do sinal do canal de MMBT7002W 60V 115mA N

channel igbt toshiba semiconductor

p-channel mosfet sot-23

n channel mosfet