Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
Grandes inovações de Huixin da sabedoria ilimitadas
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| Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade | ||||||||||||||||||||||||||||
| Tensão da Dreno-fonte | VDS | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Tensão da Porta-fonte | VGS | ±12 | V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Corrente contínua do dreno | Identificação | 5,8 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Dreno Atual-pulsado (nota 1) | IDM | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Dissipação de poder | Paládio | 350 | mW | ||||||||||||||||||||||||||||
| Resistência térmica da junção a ambiental (nota 2) | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de junção | TJ | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55~+150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
| Parâmetro | Símbolo | Condição de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidades | ||||||||||||||||||||||||
| Fora das características | ||||||||||||||||||||||||||||||
| tensão de divisão da Dreno-fonte | V (BR) DSS | VGS = 0V, IDENTIFICAÇÃO =250µA | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||
| Corrente zero do dreno da tensão da porta | IDSS | VDS =24V, VGS = 0V | 1 | µA | ||||||||||||||||||||||||||
| corrente do escapamento da Porta-fonte | IGSS | VGS =±12V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||
| Em características | ||||||||||||||||||||||||||||||
| em-resistência da Dreno-fonte (nota 3) | RDS (sobre) | VGS =10V, IDENTIFICAÇÃO =5.8A | 35 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =5A | 40 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
| Tranconductance dianteiro | gFS | VDS =5V, IDENTIFICAÇÃO =5A | 8 | S | ||||||||||||||||||||||||||
| Tensão do ponto inicial da porta | VGS (th) | VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250ΜA | 0,7 | 1,4 | V | |||||||||||||||||||||||||
| Características dinâmicas (nota 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Capacidade entrada | Ciss | VDS =15V, VGS =0V, f =1MHz | 1050 | PF | ||||||||||||||||||||||||||
| Capacidade de saída | Coss | 99 | PF | |||||||||||||||||||||||||||
| Capacidade reversa de transferência | Crss | 77 | PF | |||||||||||||||||||||||||||
| Resistência da porta | Rg | VDS =0V, VGS =0V, f =1MHz | 3,6 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||
| Características de comutação (nota 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tempo de atraso de ligação | TD (sobre) | VGS =10V, VDS =15V, RL =2.7Ω, RGEN =3Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||
| Tempo de elevação de ligação | tr | 7 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Tempo de atraso da volta-fora | TD (fora) | 40 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Tempo de queda da volta-fora | tf | 6 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
| características de diodo da Dreno-fonte e avaliações máximas | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tensão dianteira do diodo (nota 3) | VSD | É =1A, VGS =0V | 1 | V | ||||||||||||||||||||||||||