Tecnologia Co. da eletrônica de Guangdong Huixin, Ltd.

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Mosfets do transistor do campo do canal 0.22A BSS138 de 0.35W N

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Tecnologia Co. da eletrônica de Guangdong Huixin, Ltd.
Cidade:dongguan
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MsMarissa Wang
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Mosfets do transistor do campo do canal 0.22A BSS138 de 0.35W N

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Número de modelo :BSS138
Lugar de origem :CHINA
Quantidade de ordem mínima :3000pcs
Termos do pagamento :T/T, MoneyGram
Capacidade da fonte :1 bilhão partes do mês
Prazo de entrega :4-5weeks
Detalhes de empacotamento :3000pcs/carretel
Tipo :MOSFET do N-canal 50-V (D-S)
material :Silicone
Pacote :SOT-23
Tensão da Dreno-fonte :50V
Corrente contínua do dreno :0.22A
Dissipação de poder :0.35W
Aplicações :Drivers: Relés, Solenóides, Lâmpadas, Martelos, Visores, Memórias, Transistores, etc.
Características :Áspero e seguro
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SOT-23 Plástico-encapsulam MOSFETS
 
BSS138 MOSFET do N-canal 50-V (D-S)
 
 
 
V (BR) DSS RDS (sobre) max Identificação
50 V 3.5Ω@10V 220mA
6Ω@4.5V

 

 

BSS138 SOT-23 Datasheet.pdf

 

 
CARACTERÍSTICAS
 
 
1. Projeto da pilha do alto densidade para extremamente - o baixo RDS (sobre)
2.Rugged e Relaible
 
 
APLICAÇÕES
 
 
relação do Lógica-nível 1.Direct: TTL/CMOS
2.Drivers: Relés, solenoides, lâmpadas, martelos, exposição, memórias, transistor, etc.
3. sistemas a pilhas
4. Relés de circuito integrado
 
 
 
Avaliações máximas (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 
 
Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Tensão da Dreno-fonte VDS 50 V
Tensão contínua da Porta-fonte VGSS ±20
Corrente contínua do dreno Identificação 0,22
Dissipação de poder Paládio 0,35 W
Resistência térmica da junção a ambiental RθJA 357 ℃/W
Temperatura de funcionamento Tj 150
Temperatura de armazenamento Tstg -55 ~+150
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (℃ Ta=25 salvo disposição em contrário)
 
 
Parâmetro Símbolo Condição de teste Minuto Tipo Máximo Unidades
Fora das características
tensão de divisão da Dreno-fonte V (BR) DSS VGS = 0V, IDENTIFICAÇÃO =250µA 50     V
escapamento do Porta-corpo IGSS VDS =0V, VGS =±20V     ±100 nA
Corrente zero do dreno da tensão da porta IDSS VDS =50V, VGS =0V     0,5 µA
VDS =30V, VGS =0V     100 nA
Em características
tensão do Porta-ponto inicial (nota 1) VGS (th) VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =1MA 0,80   1,50 V
Em-resistência estática da dreno-fonte (nota 1) RDS (sobre) VGS =10V, IDENTIFICAÇÃO =0.22A     3,50
VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =0.22A     6
Transcondutância dianteira (nota 1) gFS VDS =10V, IDENTIFICAÇÃO =0.22A 0,12     S
Características dinâmicas (nota 2)
Capacidade entrada Ciss VDS =25V, VGS =0V, f=1MHz   27   PF
Capacidade de saída Coss   13  
Capacidade reversa de transferência Crss   6  
Características de comutação
Tempo de atraso de ligação (nota 1,2) TD (sobre) VDD =30V, VDS =10V, IDENTIFICAÇÃO =0.29A, RGEN =6Ω     5 ns
Tempo de elevação (nota 1,2) tr     18
Tempo de atraso da volta-fora (nota 1,2) TD (fora)     36
Tempo de queda (nota 1,2) tf     14
características de diodo do corpo da Dreno-fonte
Tensão dianteira do diodo do corpo (nota 1) VSD É =0.44A, VGS = 0V     1,4 V
 
 
Notas:
1. teste do pulso; Largura de pulso ≤300µs, ciclo de dever ≤2%.
2. Estes parâmetros não têm nenhuma maneira de verificar.
 
 
 
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