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Tecnologia Co. da eletrônica de Guangdong Huixin, Ltd.

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MOSFET do poder do silicone do canal 0.35W 0.22A de BSS138K N

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China MOSFET do poder do silicone do canal 0.35W 0.22A de BSS138K N wholesale
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MOSFET do poder do silicone do canal 0.35W 0.22A de BSS138K N
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Número de modelo :BSS138K
Lugar de origem :CHINA
Quantidade de ordem mínima :3000pcs
Termos do pagamento :T/T, MoneyGram
Capacidade da fonte :1 bilhão partes do mês
Prazo de entrega :4-5weeks
Detalhes de empacotamento :3000pcs/carretel
Tipo :N-canal de BSS138K
material :Silicone
Pacote :SOT-23
Tensão da Dreno-fonte :50V
Corrente contínua do dreno :0.22A
Dissipação de poder :0.35W
MPQ :3000pcs
Características :Áspero e seguro
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MOSFET do poder do modo do realce do N-canal de BSS138K
 

 

 
CARACTERÍSTICAS
 

1. VDS = 50V, identificação = avaliação de 0.22A RDS (SOBRE < 3="">     ) ESD: HBM 2300V
2. poder superior e capacidade entregando atual
3. o produto sem chumbo é adquirido
4. pacote de superfície da montagem
 
 
 
Avaliações máximas absolutas (TA=25℃unless notou de outra maneira)
 
 
 
Parâmetro Símbolo Limite Unidade
Tensão da Dreno-fonte VDS 50 V
Tensão da Porta-fonte VGS ±20 V
Drene Atual-contínuo Identificação 0,22
Dreno Atual-pulsado (nota 1) IDM 0,88
Dissipação de poder máxima Paládio 0,35 W
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento TJ, TSTG -55 a 150 ℃
 
 
 
Características elétricas (TA=25℃unless notou de outra maneira)
 
 
 
Parâmetro Símbolo Circunstância Minuto Tipo Máximo Unidade
Fora das características
Tensão de divisão da Dreno-fonte BVDSS IDENTIFICAÇÃO =250ΜA DE VGS =0V 50 65 - V
Corrente zero do dreno da tensão da porta IDSS VDS =50V, VGS =0V - - 1 μA
Corrente do escapamento do Porta-corpo IGSS VGS =±10V, VDS =0V - ±110 ±500 nA
VGS =±12V, VDS =0V - ±0.3 ±10 A
Em características (nota 3)
Tensão do ponto inicial da porta VGS (th) VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250ΜA 0,6 1,1 1,6 V
Resistência do Em-estado da Dreno-fonte RDS (SOBRE) VGS =5V, IDENTIFICAÇÃO =0.2A - 1,3 3 Ω
VGS =10V, IDENTIFICAÇÃO =0.22A - 1 2 Ω
Transcondutância dianteira gFS VDS =10V, IDENTIFICAÇÃO =0.2A 0,2 - - S
Características dinâmicas (Note4)
Capacidade entrada Clss VDS =25V, VGS =0V, F=1.0MHz - 30 - PF
Capacidade de saída Coss - 15 - PF
Capacidade reversa de transferência Crss - 6 - PF
Características de comutação (nota 4)
Tempo de atraso de ligação TD (sobre) VDD =30V, IDENTIFICAÇÃO =0.22A VGS =10V, RGEN =6Ω - - 5 nS
Tempo de elevação de ligação tr - - 5 nS
Tempo de atraso da volta-Fora TD (fora) - - 60 nS
Tempo de queda da volta-Fora tf - - 35 nS
Carga total da porta Qg VDS =25V, IDENTIFICAÇÃO =0.2A,
VGS =10V		 - - 2,4 nC
Características de diodo da Dreno-fonte
Tensão dianteira do diodo (nota 3) VSD VGS =0V, É =0.22A - - 1,3 V
Atual dianteiro do diodo (nota 2) É   - - 0,22
 
Notas:
1. avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
2. de superfície montado FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.
3. teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
4. garantido pelo projeto, não assunto à produção
 
 
 
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