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Transistor bipolar planar epitaxial d1047 b817 do poder superior NPN
Descrição do produto
Descrição
O dispositivo é um transistor de NPN fabricado usando a tecnologia nova do Bocado-LA (transistor bipolar para o amplificador linear). O transistor resultante
mostra o bom comportamento das linearidades do ganho.
Características
- Alta tensão da divisão VCEO = 140 V
- Típico ft = 20 megahertz
- Caracterizado inteiramente em 125 OC
Categoria de produto: Transistor bipolares
Montando o estilo: Através do furo
Pacote/caso: TO-3P-3
Polaridade do transistor: NPN
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima: 140 V
Tensão baixa VEBO do emissor: 6 V
Produto fT da largura de banda do ganho: 20 megahertz
Série: transistor 500V
Empacotamento: Tubo
Corrente de coletor contínua: 12 A
Coletor da C.C./minuto baixo do hfe do ganho: 50
Paládio - dissipação de poder: 100 W
Aplicação
- Fonte de alimentação
Yonlanda Skype: qyt-yolanda1 E-mail: yonlandasong (em) quanyuantong.net |