Shenzhen Winsun Technology Co., Ltd.
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Transistor 2SD822/D822/circuito integrado IC
CARACTERÍSTICAS
Dissipação de poder
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (TA=25°C salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidades |
| VCBO | Tensão da Coletor-base | 40 | V |
| VCEO | Tensão do Coletor-emissor | 30 | V |
| VEBO | Tensão da Emissor-base | 6 | V |
| IC | Corrente de coletor - contínua | 3 | A |
| Paládio | Dissipação de poder do coletor | 1,25 | W |
| TJ | Temperatura de junção | 150 | °C |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55-150 | °C |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tamb=25°C salvo disposição em contrário)
| Parâmetro | Símbolo | Condições de teste | MINUTO | TIPO | Max | UNIDADE |
| tensão de divisão da Coletor-base | V (BR) CBO | IC = 100μA, IE=0 | 40 | V | ||
| tensão de divisão do Coletor-emissor | (BR) CEO V | IC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
| tensão de divisão da Emissor-base | V (BR) EBO | IE= 100μA, IC=0 | 5 | V | ||
| Corrente de interrupção de coletor | ICBO | VCB= 40 V, IE=0 | 1 | μA | ||
| Corrente de interrupção de coletor | ICEO | VCE= 30 V, IB=0 | 10 | μA | ||
| Corrente da interrupção do emissor | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 1 | μA | ||
| Ganho atual de C.C. | hFE | VCE= 2 V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
| tensão de saturação do Coletor-emissor | VCE (sentado) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 0,5 | V | ||
| Tensão de saturação do emissor de base | VBE (sentado) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 1,5 | V | ||
| Frequência da transição | fT | VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz | 90 | Megahertz |
CLASSIFICAÇÃO do hFE
| Grau | R | O | Y | GR |
| Escala | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Detalhes do contato:
Contato: Anjo Sun
Telefone: +86-13528847020
E-mail: Admin@winsunhk.cn
Skype: Angelsun618
Whatsapp: 13528847020
Wechat: 13528847020
QQ: 553695308